Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies FF100R12YT3B60BOMA1 — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies FF100R12YT3B60BOMA1

FF100R12YT3B60BO- IGBT MOD 1,2 кВ

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies FF100R12YT3B60BOMA1
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 13
  • Артикул: FF100R12YT3B60BOMA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $52.0000

Дополнительная цена:$52.0000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Тренч
Конфигурация Половина моста
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 140 А
Мощность - Макс. 1650 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,15 В при 15 В, 100 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 3 мА
Входная емкость (Cies) при Vce 18,5 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ-термистор Да
Рабочая температура -40°С ~ 125°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования -
Другие имена 2156-FF100R12YT3B60BOMA1
Стандартный пакет 6
Модуль IGBT, полумост, 1200 В, 140 А, 1650 Вт, крепление на шасси