Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies F423MR12W1M1PB11BPSA1 — Infineon Technologies FET, MOSFET — спецификация, чип-дистрибьютор, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies F423MR12W1M1PB11BPSA1

МОП-транзисторный модуль 1200 В, 4 упаковки

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies F423MR12W1M1PB11BPSA1
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8
  • Артикул: F423MR12W1M1PB11BPSA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $158.1500

Дополнительная цена:$158.1500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд ИзиПАК™
Упаковка Поднос
Статус продукта Устаревший
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 4 N-канала
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 50А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 22,5 мОм при 50 А, 15 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5,5 В при 20 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 124 НК при 15 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3,68 нФ при 800 В
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования АГ-EASY1B-2
Базовый номер продукта F423MR12
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 30
Массив мосфетов 1200 В, 50 А, крепление на кронштейне AG-EASY1B-2