Infineon Technologies F423MR12W1M1B11BOMA1
F423MR12W1M1B11BOMA1
- Проиджоделх: Infineon Technologies
- NoMerPOIзVODITELEL: Infineon Technologies F423MR12W1M1B11BOMA1
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 1
- Sku: F423MR12W1M1B11BOMA1
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Infineon Technologies |
| В припании | EasyPack ™ |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ИГБТ | Поящь |
| Коунфигура | Polnыйmost |
| Napraheneee - raзbiroka liwчastelelelelekelelelelelelelelelelelelelekelekelekelekelekelekelekeleks | 1200 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 50 а |
| Синла - МАКС | 20 м |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | - |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 3,68 NF @ 800 В |
| Wshod | Станода |
| NTC Thermistor | В дар |
| Raboч -yemperatura | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Ag-Iasy1bm-2 |
| Baзowый nomer prodikta | F423MR12 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодар | 24 |
Модульный траншея полное мост 1200 В 50 A 20 мВ
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F