Infineon Technologies F411MR12W2M1B76BOMA1

НИЗКАЯ МОЩНОСТЬ EASY AG-EASY2B-2

Производитель: Инфинеон Технологии
Номер производителя: Infineon Technologies F411MR12W2M1B76BOMA1
Упаковка: Поднос
Техническая спецификация:-
Запас: 1331
Артикул: F411MR12W2M1B76BOMA1
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Инфинеон Технологии
Ряд	EasyPACK™ CoolSiC™
Упаковка	Поднос
Статус продукта	Устаревший
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	4 Н-канала (полумост)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 В (1,2 кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	100А (ТДж)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	11,3 мОм при 100 А, 15 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	5,55 В при 40 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	248 НК при 15 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	7360пФ при 800В
Мощность - Макс.	-
Рабочая температура	-40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	АГ-EASY1B-2
Базовый номер продукта	F411MR
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Непригодный
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	15

Массив МОП-транзисторов 1200 В (1,2 кВ), 100 А (Tj), монтаж на шасси AG-EASY1B-2