Infineon Technologies DF80R12W2H3B11BOMA1

БТИЗ-МОДУЛЬ

Производитель: Инфинеон Технологии
Номер производителя: Infineon Technologies DF80R12W2H3B11BOMA1
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 285
Артикул: DF80R12W2H3B11BOMA1
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $34,9000

Дополнительная цена:$34,9000

Подробности

Параметры
Производитель	Инфинеон Технологии
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	-
Конфигурация	Чоппер с углом наддува
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	50 А
Мощность - Макс.	190 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1,7 В @ 15 В, 20 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	1 мА
Входная емкость (Cies) при Vce	2,35 нФ при 25 В
Вход	Стандартный
НТЦ-термистор	Да
Рабочая температура	-40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	-
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

Модуль IGBT, двойной повышающий прерыватель, 1200 В, 50 А, 190 Вт, крепление на шасси