Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies DF23MR12W1M1PB11BPSA1 - Infineon Technologies FET, MOSFET - спецификация, чип-дистрибьютор, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies DF23MR12W1M1PB11BPSA1

МОП-транзисторный модуль 1200 В

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies DF23MR12W1M1PB11BPSA1
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 24
  • Артикул: DF23MR12W1M1PB11BPSA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $88.2400

Дополнительная цена:$88.2400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд ИзиПАК™
Упаковка Поднос
Статус продукта Устаревший
Технология Карбид кремния (SiC)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В (1,2 кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 25А (Тдж)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 45 мОм при 25 А, 15 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5,55 В при 10 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 62 НК при 15 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1840пФ при 800В
Мощность - Макс. 20мВт
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования АГ-EASY1B-2
Базовый номер продукта DF23MR12
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 2156-DF23MR12W1M1PB11BPSA1-448
Стандартный пакет 30
Массив МОП-транзисторов 1200 В (1,2 кВ), 25 А (Tj), 20 мВт, крепление на кронштейне AG-EASY1B-2