Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 — полевые транзисторы Infineon Technologies, полевые МОП-транзисторы — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies DF16MR12W1M1HFB67BPSA1

НИЗКАЯ МОЩНОСТЬ ЛЕГКО

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies DF16MR12W1M1HFB67BPSA1
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 4687
  • Артикул: DF16MR12W1M1HFB67BPSA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $103.5300

Дополнительная цена:$103.5300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд EasyPACK™, CoolSiC™
Упаковка Поднос
Статус продукта Активный
Технология -
Конфигурация 2 N-канала
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 25А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 32,3 мОм при 25 А, 18 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5,15 В при 10 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 74 НК при 18 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2200пФ при 800В
Мощность - Макс. -
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Базовый номер продукта DF16MR12
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
Стандартный пакет 24
Крепление на шасси Mosfet Array 1200 В, 25 А