Infineon Technologies DF100R07W1H5FPB53BPSA1
Модуль, Игбт
- Проиджоделх: Infineon Technologies
- NoMerPOIзVODITELEL: Infineon Technologies DF100R07W1H5FPB53BPSA1
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 253
- Sku: DF100R07W1H5FPB53BPSA1
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Infineon Technologies |
| В припании | EasyPack ™ |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | - |
| Коунфигура | Полевина мостеово |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 650 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 40 А. |
| Синла - МАКС | 20 м |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 1,55 В @ 15 В, 25А |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 40 мк |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 2,8 NF @ 25 V |
| Wshod | Станода |
| NTC Thermistor | В дар |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Ag-Iasy1b |
| Статус Ройс | Neprigodnnый |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодадж | 1 |
Модуль, IGBT Half Bridge Inverter 650 V 40 A 20mВ
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F