Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies DDB2U30N08VRBOMA1307 — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии DDB2U30N08VRBOMA1307

БТИЗ-МОДУЛЬ

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии DDB2U30N08VRBOMA1307
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3837
  • Артикул: ДДБ2У30Н08ВРБОМА1307
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0000

Дополнительная цена:$1,0000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ -
Конфигурация 3 независимых
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 25 А
Мощность - Макс. 20 мВт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,55 В @ 15 В, 20 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 мА
Входная емкость (Cies) при Vce 880 пФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ-термистор Да
Рабочая температура -40°С ~ 125°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования Модуль
Статус RoHS Непригодный
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Модуль IGBT 3 независимых модуля, 600 В, 25 А, 20 мВт, монтируемый на шасси