Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies BSO612CVG — полевые транзисторы Infineon Technologies, полевые МОП-транзисторы — спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии BSO612CVG

БСО612 - 20В-60В ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ М

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии BSO612CVG
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8341
  • Артикул: БСО612КВГ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд СИПМОС®
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация N и P-канал
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3А (Та), 2А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 120 мОм при 3 А, 10 В, 300 мОм при 2 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 20 мкА, 4 В @ 450 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 15,5 нк при 10 В, 16 нк при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 340пФ, 400пФ при 25В
Мощность - Макс. 2Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования ПГ-ДСО-8
Базовый номер продукта БСО612
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 687
Массив МОП-транзисторов 60 В 3 А (Ta), 2 А (Ta) 2 Вт (Ta) Для поверхностного монтажа PG-DSO-8