Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies BSO330N02KG - Infineon Technologies FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии BSO330N02KG

Н-КАНАЛЬНЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии BSO330N02KG
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: БСО330Н02КГ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2300

Дополнительная цена:$0,2300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд Оптимос™
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора Ворота логического уровня
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5,4А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 30 мОм при 6,5 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,2 В @ 20 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4,9 нк @ 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 730пФ при 10 В
Мощность - Макс. 1,4 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования ПГ-ДСО-8
Базовый номер продукта БСО330Н02
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Массив мосфетов 20 В 5,4 А 1,4 Вт для поверхностного монтажа PG-DSO-8