| Параметры |
| Производитель | Инфинеон Технологии |
| Ряд | Оптимос™ |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Конфигурация | 2 P-канала (двойной) |
| Особенность левого транзистора | Ворота логического уровня |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 8,2А |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 21 мОм при 8,2 А, 4,5 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1,2 В @ 100 мкА |
| Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | 48,6 НК при 4,5 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2242пФ при 15 В |
| Мощность - Макс. | 2 Вт |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | ПГ-ДСО-8 |
| Базовый номер продукта | БСО203 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | Поставщик не определен |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 421 |
Массив мосфетов 20 В, 8,2 А, 2 Вт, для поверхностного монтажа PG-DSO-8