Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies BSM25GB120DN2 — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии BSM25GB120DN2

БТИЗ-МОДУЛЬ

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии BSM25GB120DN2
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 23
  • Артикул: БСМ25ГБ120ДН2
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $34.7300

Дополнительная цена:$34.7300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ -
Конфигурация Половина моста
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 38 А
Мощность - Макс. 200 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 3 В @ 15 В, 25 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 800 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce 1,65 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ-термистор Нет
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования Модуль
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 9
Модуль IGBT Полумостовой модуль 1200 В 38 А 200 Вт для монтажа на кронштейн