Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies BSC112N06LDATMA1 — Infineon Technologies FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии BSC112N06LDATMA1

БСК112Н06ЛДАТМА1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии BSC112N06LDATMA1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: БСК112Н06ЛДАТМА1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,7900

Дополнительная цена:$1,7900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд ОптимМОС™-Т2
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора Ворота логического уровня
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 11,2 мОм при 17 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,2 В @ 28 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 55 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4020пФ при 30В
Мощность - Макс. 65 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТДСОН-8-4
Базовый номер продукта БСК112
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
Массив МОП-транзисторов 60 В 20 А (Tc) 65 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PG-TDSON-8-4