Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies BFP740FESDH6327 — Infineon Technologies Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies BFP740FESDH6327

ВЧ ТРАНЗИСТОР, X ДИАПАЗОН, NPN

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies BFP740FESDH6327
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 142
  • Артикул: BFP740FESDH6327
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1700

Дополнительная цена:$0,1700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 4,2 В
Частота – переход 47 ГГц
Коэффициент шума (дБ, тип@f) 0,5 дБ ~ 1,45 дБ при 150 МГц ~ 10 ГГц
Прирост 39 дБ
Мощность - Макс. 160мВт
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 160 при 25 мА, 3 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 45 мА
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 4-SMD, плоские выводы
Поставщик пакета оборудования 4-ТСФП
Статус RoHS Непригодный
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 3000
Радиочастотный транзистор NPN 4,2 В 45 мА 47 ГГц 160 мВт для поверхностного монтажа 4-TSFP