Vishay Siliconix SI8812DB-T2-E1

SI8812DB-T2-E1

Производитель: Вишай Силиконикс
Номер производителя: Vishay Siliconix SI8812DB-T2-E1
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2
Артикул: SI8812DB-T2-E1
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4300

Дополнительная цена:$0,4300

Подробности

Параметры
Производитель	Вишай Силиконикс
Ряд	ТренчFET®
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	2,3 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	1,2 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	59 мОм при 1 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	17 НК при 8 В
ВГС (Макс)	±5 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	500 мВт (Та)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	4-микрофут
Пакет/ключи	4-УФБГА
Базовый номер продукта	СИ8812
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.21.0095
Стандартный пакет	3000

Н-канальный 20 В 2,3 А (Ta) 500 мВт (Ta) Для поверхностного монтажа 4 микрофута