Micron Technology Inc. MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

Производитель: Микрон Технология Инк.
Номер производителя: Micron Technology Inc. MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
Упаковка: Поднос
Техническая спецификация:-
Запас: 4468
Артикул: MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Микрон Технология Инк.
Ряд	-
Упаковка	Поднос
Статус продукта	Устаревший
Тип	Энергонезависимый
Формат памяти	ВСПЫШКА
Технология	ФЛЕШ-НЕ-НЕ
Размер	3Тбит
Организация	384Г х 8
Интерфейс памяти	Параллельно
Тактовая частота	333 МГц
Время цикла записи — Word, Page	-
Напряжение питания	2,5 В ~ 3,6 В
Рабочая температура	0°С ~ 70°С (ТА)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	272-ЛФБГА
Поставщик пакета оборудования	272-ЛФБГА (14х18)
Базовый номер продукта	MT29E3T08
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
ECCN	УСТАРЕВШИЙ
ХТСУС	0000.00.0000
Стандартный пакет	980

ИС флэш-памяти NAND, 3 Тбит, параллельная, 333 МГц, 272-LFBGA (14x18)