Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies IPB60R600P6ATMA1 — полевые транзисторы Infineon Technologies, полевые МОП-транзисторы — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies IPB60R600P6ATMA1

ИПБ60Р600П6АТМА1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies IPB60R600P6ATMA1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8185
  • Артикул: ИПБ60Р600П6АТМА1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТО263-3
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Базовый номер продукта ИПБ60Р
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена SP001313874
Стандартный пакет 1000
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд CoolMOS™ P6
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Производство постоянно в Digi-Key
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7,3 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 600 мОм при 2,4 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,5 В при 200 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 НК @ 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 557 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 63 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
N-канал 600 В 7,3 А (Tc) 63 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PG-TO263-3