Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 NXP USA Inc. PMN25UN,115 - NXP USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PMN25UN,115

ПМН25УН,115

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PMN25UN,115
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5211
  • Артикул: ПМН25УН,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 27 мОм при 6 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10 НК при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 470 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 530 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СК-74
Пакет/ключи СК-74, СОТ-457
Базовый номер продукта ПМН2
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канал 20 В 6 А (Ta) 530 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc) для поверхностного монтажа SC-74