Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 NXP USA Inc. PSMN5R6-100XS,127 - NXP USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PSMN5R6-100XS,127

ПСМН5Р6-100ХС,127

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PSMN5R6-100XS,127
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 7774
  • Артикул: ПСМН5Р6-100ХС,127
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 61,8А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 5,6 мОм при 15 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 145 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 8061 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 60 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220Ф
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка
Базовый номер продукта ПСМН5
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
Н-канал 100 В 61,8 А (Тс) 60 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220Ф