Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies IPL65R195C7AUMA1 - Infineon Technologies FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии IPL65R195C7AUMA1

IPL65R195C7AUMA1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии IPL65R195C7AUMA1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 53
  • Артикул: IPL65R195C7AUMA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3,7700

Дополнительная цена:$3,7700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд CoolMOS™ C7
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 195 мОм при 2,9 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 290 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 23 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1150 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 75 Вт (Тс)
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПГ-ВСОН-4
Пакет/ключи 4-PowerTSFN
Базовый номер продукта ИПЛ65Р
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 2А (4 недели)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канал 650 В 12 А (Tc) 75 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PG-VSON-4