Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Harris Corporation HGTH12N50C1D — IGBT Harris Corporation — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Корпорация Харрис HGTH12N50C1D

12 А, 500 В, Н-КАНАЛЬНЫЙ БТИЗ

  • Производитель: Харрис Корпорейшн
  • Номер производителя: Корпорация Харрис HGTH12N50C1D
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 483
  • Артикул: ХГТХ12Н50С1Д
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.3000

Дополнительная цена:$2.3000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Харрис Корпорейшн
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ -
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 500 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 12 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 17,5 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 3,2 В при 20 В, 17,5 А
Мощность - Макс. 75 Вт
Переключение энергии -
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 19 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C -
Условия испытаний -
Время обратного восстановления (trr) 100 нс
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-218-3 Изолированная вкладка, ТО-218АС
Поставщик пакета оборудования ТО-218 изолированный
Статус RoHS не соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
IGBT 500 В 12 А 75 Вт сквозное отверстие TO-218 изолированный