Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Harris Corporation HGTD3N60B3S — IGBT Harris Corporation — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Корпорация Харрис HGTD3N60B3S

7 А, 600 В, Н-КАНАЛЬНЫЙ БТИЗ УФС

  • Производитель: Харрис Корпорейшн
  • Номер производителя: Корпорация Харрис HGTD3N60B3S
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 944
  • Артикул: ХГТД3Н60Б3С
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5200

Дополнительная цена:$0,5200

Подробности

Теги

Параметры
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 7 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 20 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,1 В при 15 В, 3,5 А
Мощность - Макс. 33,3 Вт
Переключение энергии 66 мкДж (вкл.), 88 мкДж (выкл.)
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 21 н.к.
Td (вкл/выкл) при 25°C 18 нс/105 нс
Условия испытаний 480 В, 3,5 А, 82 Ом, 15 В
Время обратного восстановления (trr) 16 нс
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Поставщик пакета оборудования ТО-252-3 (ДПАК)
Статус RoHS не соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 0000.00.0000
Стандартный пакет 1
Производитель Харрис Корпорейшн
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ -
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 В
IGBT 600 В 7 А 33,3 Вт для внешнего монтажа ТО-252-3 (ДПАК)