Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Harris Corporation HGT1S3N60C3D — IGBT Harris Corporation — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Корпорация Харрис HGT1S3N60C3D

6А, 600В, Н-КАНАЛЬНЫЙ БТИЗ

  • Производитель: Харрис Корпорейшн
  • Номер производителя: Корпорация Харрис HGT1S3N60C3D
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 365
  • Артикул: ХГТ1С3Н60С3Д
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9000

Дополнительная цена:$0,9000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Харрис Корпорейшн
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ -
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 6 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 24 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2В @ 15В, 3А
Мощность - Макс. 33 Вт
Переключение энергии -
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 13,8 нК
Td (вкл/выкл) при 25°C -
Условия испытаний -
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA
Поставщик пакета оборудования И2ПАК (ТО-262)
Статус RoHS не соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
IGBT 600 В 6 А 33 Вт сквозное отверстие I2PAK (ТО-262)