Harris Corporation GES5816 — Harris Corporation Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Корпорация Харрис GES5816

ТРАНС НПН 40В 0,75А ТО92

  • Производитель: Харрис Корпорейшн
  • Номер производителя: Корпорация Харрис GES5816
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 16
  • Артикул: ГЕС5816
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1000

Дополнительная цена:$0,1000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Харрис Корпорейшн
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 750 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 750 мВ при 50 мА, 500 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 при 2 мА, 2 В
Мощность - Макс. 500 мВт
Частота – переход 120 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 135°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА)
Поставщик пакета оборудования ТО-92-3
Статус RoHS не соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор NPN 40 В 750 мА 120 МГц 500 мВт сквозное отверстие ТО-92-3