Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SIRA28BDP-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIRA28BDP-T1-GE3

SIRA28BDP-T1-GE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIRA28BDP-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6
  • Артикул: SIRA28BDP-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5700

Дополнительная цена:$0,5700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18А (Та), 38А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 7,5 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14 НК при 10 В
ВГС (Макс) +20В, -16В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 582 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3,8 Вт (Та), 17 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПауэрПАК® СО-8
Пакет/ключи ПауэрПАК® СО-8
Базовый номер продукта СИРА28
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канал 30 В 18 А (Ta), 38 А (Tc) 3,8 Вт (Ta), 17 Вт (Tc) PowerPAK® SO-8 для поверхностного монтажа