Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 NXP USA Inc. PMV30UN,215 - NXP USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PMV30UN,215

ПМВ30УН,215

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PMV30UN,215
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8442
  • Артикул: ПМВ30УН,215
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд ТренчМОС™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5,7 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 36 мОм при 2 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 700 мВ при 1 мА (тип.)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7,4 НК при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 460 пФ при 20 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,9 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-23 (ТО-236АБ)
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Базовый номер продукта ПМВ3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канал 20 В 5,7 А (Tc) 1,9 Вт (Tc) СОТ-23 для поверхностного монтажа (ТО-236АБ)