Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 onsemi NTMS4101PR2 - полевые транзисторы onsemi, МОП-транзисторы - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NTMS4101PR2

NTMS4101PR2

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NTMS4101PR2
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6635
  • Артикул: NTMS4101PR2
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 32 НК при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3200 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,38 Вт (ТДж)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОИК
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Базовый номер продукта NTMS41
Статус RoHS не соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена NTMS4101PR2OS
Стандартный пакет 2500
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6,9 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 19 мОм при 6,9 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 450 мВ при 250 мкА (мин)
P-канал 20 В 6,9 А (Ta) 1,38 Вт (Tj) Для поверхностного монтажа 8-SOIC