Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies IPB17N25S3100ATMA1 — Infineon Technologies FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies IPB17N25S3100ATMA1

ИПБ17Н25С3100АТМА1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies IPB17N25S3100ATMA1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: ИПБ17Н25С3100АТМА1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.3500

Дополнительная цена:$2.3500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 250 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 17А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 100 мОм при 17 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 54 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 19 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1500 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 107 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТО263-3-2
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Базовый номер продукта ИПБ17Н25
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1000
N-канальный 250 В 17 А (Tc) 107 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PG-TO263-3-2