Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies IPAW60R360P7SXKSA1 — Infineon Technologies FET, MOSFET — спецификация, чип-дистрибьютор, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies IPAW60R360P7SXKSA1

IPAW60R360P7SXKSA1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies IPAW60R360P7SXKSA1
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 211
  • Артикул: IPAW60R360P7SXKSA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,4600

Дополнительная цена:$1,4600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд CoolMOS™ P7
Упаковка Трубка
Статус продукта Не для новых дизайнов
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9А (Тц)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 360 мОм при 2,7 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 140 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 13 нк @ 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 555 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 22 Вт (Тс)
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования Полный пакет ПГ-ТО220
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет
Базовый номер продукта IPAW60
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 45
N-канальный 650 В 9 А (Tc) 22 Вт (Tc) сквозное отверстие PG-TO220, полный комплект