GOFORD SEMICONDUCTOR GT700P08T

P -80V, -25a, Rd <72m@-10v, VTH-2V ~-

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GT700P08T
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 3355
Sku: GT700P08T
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	80
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	25a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	72mohm @ 2a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	3,5 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	75 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1639 PF @ 40 V
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	125W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	ДО-220
PakeT / KORPUES	220-3
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	50

P-KANAOL 80 В 25А (TC) 125 Вт (TC).