GOFORD SEMICONDUCTOR GT650N15K

N150V, RD (MAX) <65M@10V, VTH2.5V ~ 4.

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GT650N15K
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 5
Sku: GT650N15K
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,2750

Эkst цena:$0,2750

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В приземлении	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	150
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	20А (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	65mohm @ 10a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	4,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	12 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	600 pf @ 75
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	68 Вт (ТС)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	252
PakeT / KORPUES	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	2500

N-канал 150-20а (TC) 68W (TC).