Парметр |
Млн | Goford Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | П-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 40 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 89a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 17mohm @ 20a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 -50 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 62 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 6040 pf @ 40 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 245W (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | ДО-220 |
PakeT / KORPUES | 220-3 |
Статус Ройс | ROHS COMPRINT |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0000 |
Дрогин ИНЕНА | 3141-GT180P08T |
Станодар | 50 |
P-KANAL 40 V 89A (TC) 245W (TC) чereз oTwerStie-DO-220