GOFORD SEMICONDUCTOR GT1003A

N100V, 3A, Rd <140m@10V, VTH1.0V ~ 3.

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GT1003A
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 102
Sku: GT1003A
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,0550

Эkst цena:$0,0550

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	Герт
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	3a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	140mohm @ 3a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	3 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	4.3 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	206 pf @ 50 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,6 yt (tat)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23-3
PakeT / KORPUES	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Станодадж	3000

N-kanal 100-3а (Ta) 1,6 sto (ta) poverхnostnoe krepleplenee sot-23-3