| Параметры |
| Производитель | Гофорд Полупроводник |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Конфигурация | 2 N-канала (двойной) |
| Особенность левого транзистора | - |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 40А (Тс) |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 14 мОм при 14 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,4 В при 250 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 24 НК при 10 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1620пФ при 30В |
| Мощность - Макс. | 62 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-PowerTDFN |
| Поставщик пакета оборудования | 8-ДФН (4,9х5,75) |
| Базовый номер продукта | GT090N06 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 5000 |
Массив МОП-транзисторов 60 В, 40 А (Tc) 62 Вт (Tc), для поверхностного монтажа 8-DFN (4,9x5,75)