Goford Semiconductor GT090N06D52

N60V, RD (MAX) <9M@10V, RD (MAX) <13M@

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor GT090N06D52
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 10
Sku: GT090N06D52
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,3830

Эkst цena:$0,3830

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В приземлении	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Коунфигура	2 n-канал (Дзонано)
FET FUONKSHINA	-
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	40a (TC)
Rds on (max) @ id, vgs	14mohm @ 14a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	2,4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	24nc @ 10v
Взёр.	1620pf @ 30v
Синла - МАКС	62W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	8-Powertdfn
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-DFN (4,9x5,75)
Baзowый nomer prodikta	GT090N06
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	5000

MOSFET Array 60V 40A (TC) 62W (TC).