GOFORD SEMICONDUCTOR GT080N10T
N100V, 70A, RD <8M@10V, VTH1.0V ~ 3,0
- Проиджоделх: Goford Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GT080N10T
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 2602
- Sku: GT080N10T
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Goford Semiconductor |
| В припании | Герт |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 100 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 70A (TC) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
| Rds on (max) @ id, vgs | 8mohm @ 50a, 10 В |
| Vgs (th) (max) @ id | 3 В @ 250 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 35 NC @ 10 V |
| Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
| Взёр. | 2257 pf @ 50 v |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 100 yt (tc) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | ДО-220 |
| PakeT / KORPUES | 220-3 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Станодадж | 50 |
N-kanaol 100 v 70A (TC) 100 st (tc) чereз sturstiee 220
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740