Парметр |
Млн | Goford Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 40 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 60a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 6mohm @ 30a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 2,3 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 19 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 1301 pf @ 20 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 48 Вт (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | ДО-220 |
PakeT / KORPUES | 220-3 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 50 |
N-канал 40 В 60a (Tc) 48w (Tc) чereз oTwerStie-DO-220