Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Goford Semiconductor GT042P06T — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GT042P06T

МОП-транзистор, П-Ч,-60В,-160А,РД(МАКС.)<

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GT042P06T
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4609
  • Артикул: GT042P06T
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 160А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,5 мОм при 15 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 305 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9151 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 280 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Стандартный пакет 50
П-канал 60 В 160 А (Тс) 280 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220