GOFORD SEMICONDUCTOR GT025N06AT

N60V, 170A, RD <2,5 мкри 10 В, VTH1.2V ~ 2

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GT025N06AT
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 5
Sku: GT025N06AT
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,6880

Эkst цena:$0,6880

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	170a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	2,5mohm @ 20a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	70 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	4954 PF @ 30 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	215W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	ДО-220
PakeT / KORPUES	220-3
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	50

N-kanal 60 v 170A (TC) 215W (TC).