GOFORD SEMICONDUCTOR GT011N03D5E

MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GT011N03D5E
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 8245
Sku: GT011N03D5E
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.6700

Эkst цena:$1.6700

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	209a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	-
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	98 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 16 В.
Взёр.	6503 PF @ 15 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	89 Вт (ТС)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-DFN (4,9x5,75)
PakeT / KORPUES	8-Powertdfn
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Станодар	5000

N-kanal 30- 209a (tc) 89w (tc) porхnosstnoe krepleplenee 8-dfn (4,9x5,75)