GOFORD SEMICONDUCTOR GC11N65D5

N650V, 11A, Rd <360M@10V, VTH2.5V ~ 4

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GC11N65D5
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 10
Sku: GC11N65D5
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,6760

Эkst цena:$0,6760

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	Грлин
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	650
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	11a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	360mohm @ 5,5a, 10
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
Vgs (mmaks)	± 30 v
Взёр.	901 pf @ 50 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	78W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-DFN (4,9x5,75)
PakeT / KORPUES	8-Powertdfn
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Станодадж	5000

N-kanal 650-11a (tc) 78w (tc) porхnostnoe krepleplenee 8-dfn (4,9x5,75)