GOFORD Semiconductor G9435S

P-30V, -5.1a, Rd (max) <55m@-10v, vth

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD Semiconductor G9435S
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 4
Sku: G9435S
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,0680

Эkst цena:$0,0680

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В приземлении	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	5.1a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	55mohm @ 5.1a, 10
Vgs (th) (max) @ id	3 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	12 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1040 pf @ 15 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	2,5 yt (tat)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Станодадж	4000

P-Kanal 30- 5,1A (TA) 2,5-ть (TA) PORHERхNOSTNOE