GOFORD Semiconductor G75P04S

MomosfeT, P -CH, -40V, -11a, Rd (max) <8

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD Semiconductor G75P04S
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 4
Sku: G75P04S
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,3260

Эkst цena:$0,3260

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	40
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	11a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	8mohm @ 10a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	106 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	6893 PF @ 20 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	2,5 yt (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Станодадж	4000

P-KANAL 40 В 11А (TC) 2,5 st (TC) PoverхnoStnoe