Парметр |
Млн | Goford Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | П-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 60 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 25a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 70mohm @ 4a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 -50 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 25 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 1451 pf @ 30 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 42W (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-DFN (4,9x5,75) |
PakeT / KORPUES | 8-Powertdfn |
Статус Ройс | ROHS COMPRINT |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0000 |
Станодар | 5000 |
P-канал 60 В 25А (TC) 42 Вт (TC) MOGNEVOE Креплэни 8-дфн (4,9x5,75)