Goford Semiconductor G6P06

P60V, RD (MAX) <96M@-10V, RD (MAX) <14

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor G6P06
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 80
Sku: G6P06
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,1110

Эkst цena:$0,1110

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	6А (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	96mohm @ 4a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	3 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	25 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	930 pf @ 30 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	4,1 st (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	4000

P-KANAL 60 В 6А (TC) 4,1-вт (TC) PORHERхNOSTNOE