GOFORD SEMICONDUCTOR G65P06D5

P60V, RD (MAX) <18M@-10V, VTH-2V ~ -3V

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR G65P06D5
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 25
Sku: G65P06D5
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,3510

Эkst цena:$0,3510

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	60a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	18mohm @ 20a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	3,5 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	75 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	5814 PF @ 25 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	130 Вт (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-DFN (4,9x5,75)
PakeT / KORPUES	8-Powertdfn
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	5000

P-KANAL 60- 60A (TC) 130-й (TC) POWRхNOSTNONOE КРЕПЛЕРНЕЕ 8-DFN (4,9x5,75)