GOFORD Semiconductor G60N10T

N100V, RD (MAX) <25M@10V, RD (MAX) <30

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD Semiconductor G60N10T
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 20
Sku: G60N10T
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,4140

Эkst цena:$0,4140

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	60a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	25mohm @ 20a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	146 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	3970 pf @ 50 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	160 Вт (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	ДО-220
PakeT / KORPUES	220-3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	50

N-kanal 100- 60A (TC) 160 st (TC) чereSereSeRsTIEE-до-220