GOFORD Semiconductor G50N03D5

N30V, Rd (MAX) <4,5 м@10 v, Rd (MAKS) <8m

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD Semiconductor G50N03D5
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 5
Sku: G50N03D5
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,1540

Эkst цena:$0,1540

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	50a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	4,5mohm @ 20a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	38,4 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1784 PF @ 15 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	20 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-DFN (4,9x5,75)
PakeT / KORPUES	8-Powertdfn
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	5000

N-kanal 30- 50A (TC) 20W (TC).