Парметр |
Млн | Goford Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | П-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 45A |
Rds on (max) @ id, vgs | 9,5mohm @ 10a, 4,5 |
Vgs (th) (max) @ id | 1В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 55 NC @ 4,5 |
Vgs (mmaks) | ± 12 В. |
Взёр. | 3500 pf @ 10 v |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 80 Вт |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-DFN (315x3,05) |
PakeT / KORPUES | 8-powervdfn |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 3 (168 чASOW) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 5000 |
P-канал 20 В 45a 80 stporхnoStnыйmoNtaж 8-DFN (3,15x3,05)