GOFORD Semiconductor G35N02K

N20V, Rd (Max) <13m@4,5 v, rd (max) <18

Проиджодел: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD Semiconductor G35N02K
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 3
Sku: G35N02K
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,4700

Эkst цena:$0,4700

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	35A (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	2,5 В, 4,5 В.
Rds on (max) @ id, vgs	13mohm @ 20a, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	1,2- 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	24 NC @ 4,5
Vgs (mmaks)	± 12 В.
Взёр.	1380 pf @ 10 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	40 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	252
PakeT / KORPUES	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	2500

N-kanal 20- 35A (TC) 40W (TC), накануне.